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Literaturnachweis - Detailanzeige

 
Autor/inSchenk, Wolfgang
TitelSperrschichtkapazitäten in Halbleiterdioden.
QuelleIn: Didaktik der Physik ... CD zur Frühjahrstagung des Fachverbandes Didaktik der Physik in der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Physikertagung 2002 Leipzig (2002)Verfügbarkeit 
Sprachedeutsch
DokumenttypCD-ROM; Zeitschriftenaufsatz
ISBN3-936427-11-9
SchlagwörterExperiment; Halbleiterdiode; Physik; Praktikum
AbstractDie Sperrschichtkapazität von Halbleiterdioden lässt sich in charakteristischer Weise durch die angelegten Sperrspannung steuern. Dabei hängt die quantitative Beschreibung des Zusammenhangs zwischen der Sperrschichtkapazität der Halbleiterdiode und der Sperrspannung entscheidend von der Geometrie der Raumladungszone (Dotierungsprofil) ab. Im Rahmen eines Praktikumsversuches wird unter der Voraussetzung eines einfachen abrupten Dotierungsprofils und bei Berücksichtigung geeigneter Ersatzschaltungen die quantitative Analyse von Messdaten, die mit einem Resonanzverfahren (Serienresonanzkreis) ermittelt wurden, durchgeführt. An zwei einfachen Beispielen werden die Einsatzmöglichkeiten von spannungsgesteuerten Sperrschichtkapazitäten demonstriert.
Erfasst vonArbeitsgruppe Didaktik der Physik, Universität Kassel
Update2004_(CD)
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